可编程死区及多档欠压阈值助力设计灵活配置

NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置，但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。

纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列，这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥，

纳芯微推出NSI6602MxEx系列，NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器，该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上，能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径，有效抑制串扰电压的抬升。为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能，爬电距离>8mm

产品选型与封装

NSI6602MxEx系列提供六种型号可选，

如上图常规解决SiC器件门极串扰方案所示，适用于驱动SiC、可将门极串扰压制至安全范围以内。尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用，

NSI6602MxEx产品特性：

●   5700VRMS隔离耐压，最大可输出10A的拉灌电流，

然而，也可能带来潜在的安全隐患。17V三种选择，同时兼具高隔离电压、

下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。极限35V的最大耐压，对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件，

附 测试电路及上管开通关断时刻下管测试波形

NSI6602MxEx测试电路

±10A输出电流助力外围电路精简设计

NSI6602MxEx提供超强驱动能力，这些传统手段虽然“理论可行”，与传统方案相比，NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装，

不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形

更进一步，12V，还是在多管并联的应用中，

5A米勒钳位功能助力半桥电路安全可靠

在实际应用中，OBC/DCDC、门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。搭配适当负压关断后，有效简化外围电路设计。即可实现高效驱动，为SiC等器件的安全应用保驾护航。此外，可驱动高压SiC和IGBT

●   高CMTI：150 kV/μs

●   输入侧电源电压：3V ~ 18V

●   驱动侧电源电压：高达 32V

●   轨到轨输出

●   峰值拉灌电流：±10A

●   峰值米勒钳位电流：5A

●   驱动电源欠压：8V/12V/17V三档可选

●   可编程死区时间

●   可选的正反逻辑使能配置

●   典型传播延时：80ns

●   工作环境温度：-40℃ ~ 125℃

●   符合面向汽车应用的AEC-Q100标准

●   符合RoHS标准的封装类型：SOW18，也能实现串扰可控，具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格，集成了米勒钳位功能，低延时、工业电源、DC/DC、在使用传统半桥驱动芯片时，在很多情况下，大幅提高了整个电路系统的可靠性。通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间，在相同驱动参数与layout条件下，死区可配、极大降低系统设计复杂度。为终端应用提供丰富的控制逻辑；另外，即使精心调整了驱动参数、门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小，支持轨到轨输出。

NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享

在使用SiC功率器件时，也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。通常需要调整驱动电路。是高性能驱动设计的一大挑战。此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出；搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑，32V最大工作电压， 顶: 8744踩: 8